ウエハー加工・生産受託・マイクロ流路・ファクトリーオートメーションの九州セミコンダクターKAW
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フォトリソグラフィ受託加工

半導体ウェハーやサファイヤ、ガラス、石英などの基板上に、マスクに描かれたパターンを転写しパターン形成を行っています。

・1枚から対応
・MEMS、研究開発、先端パッケージ対応
・ステッパー/マスクアライナーによる高精度パターニング

このようなお困りごとはありませんか?

✔ 少量試作を依頼したい
✔ SiCやGaN基板に対応できる会社を探している
✔ 異形基板にフォトリソしたい
✔ MEMS試作を依頼したい
✔ 厚膜レジストを適用したい

フォトリソ加工対応内容

 

対応仕様

ウェハーサイズ

・Φ8インチ以下
・異形基板(角基板等)対応可

基板材料

・シリコン、ガラス、化合物半導体 など
・その他様々な材料に対応

基板厚み

・ステッパー:1mm以下
・アライナー:2mm以下

対象線幅

・ステッパー:0.5μm(条件による)
・アライナー:5μm(条件による)

膜厚実績

・薄膜から厚膜まで対応
(最大60μm程度まで実績あり)

 

加工事例

リフトオフレジスト加工 断面形状

リフトオフレジスト加工 断面形状

フォトリソ加工例 LS 1μm

フォトリソ加工例 LS 1μm

ネガレジスト2段加工

ネガレジスト2段加工

フォトリソ加工例 ハニカム

フォトリソ加工例 ハニカム

 

フォトリソグラフィ関連設備

全自動コーター・デベロッパー装置「Dual-1000T」

スピン塗布ユニット、スピン現像ユニット、ベークプレート、クーリングプレート、カセットステージ、自動搬送ロボット等を搭載し、自動でレジスト等の塗布、現像、ベークの処理が行える装置です。

全自動コーター・デベロッパー装置 Dual-1000T

Dual-1000T

ステッパー(i線ステッパー)装置「NSR-i10C」

高精度、高解像にてパターニングに対応、オリフラタイプ、ノッチタイプ両方に対応しています。また、レチクル設計からジョブ作成まで一貫して社内エンジニアが担当いたします。

ステッパー i線ステッパー装置 NSR-i10C

NSR-i10C

両面マスクアライナー装置「MASK ALIGNER BA200k」

試料の表面/裏面アライメントを、高解像度4視野カメラとモニタによる観察で行うことができます。

両面マスクアライナー装置 MASK ALIGNER BA200k

MASK ALIGNER BA200k

主要設備スペック一覧

装置名

主な仕様

Dual-1000T

・4~8インチのウェハサイズ対応
・試料サイズ:Φ4インチ~Φ8インチのSi、ガラス基板に対応
・塗布・現像共に30ステップのプログラムを各50プログラムセーブ可能
・回転数:0~5000rpm
・塗布液:3系統、現像液:2系統
・エッジリンス、バックリンス機能有り

NSR-i10C

・2~8インチのウェハサイズ対応
・解像度:0.4μm
・露光照度:≧600mW/cm²
・ステッピング精度:3σ≦0.06μm
・フラットネス精度:Max-Min ≦3.0μm
・基板厚み:0.23mm~1.0mm

MASK ALIGNER
BA200k

・基板材質:シリコン、ガラス、セラミック、サファイヤ、SiCなどの化合物、石英など
・基板サイズ:Φ8インチ以下、□125mm、□140mm
・基板厚み:2.0mm以下(四角基板は1.5mm以下)
・1:1等倍露光
・マスクサイズ:最大□9インチ
・波長:365nm(i線)、436nm(g線)

 

ウェハー加工・お問い合わせから受注・納品までの流れ

ウェハー加工のご案内「お問い合わせ」お急ぎの場合にはお電話でも承っております。
お問い合せフォームからのご相談は、1~2営業日以内にご連絡いたします。

 

ウェハー加工のご案内「設計・ご提案」お客様の仕様をベースに、製作側よりご提案させていただきます。レチクルデザインや材料の手配・加工が必要な場合も可能です。可能な限り柔軟なサポートをさせていただきます。

 

ウェハー加工のご案内「お見積り・ご発注」試作品の1点からでも、一部の工程でも、お見積り・ご注文を承っております。

 

ウェハー加工のご案内「評価・製作」これまで培ってきた加工実績とネットワークを活かし、お客様にご満足して頂ける製品をご提供いたします。

 

ウェハー加工のご案内「納品」ご要望に柔軟に対応いたします。

 

 

フォトリソ

フォトリソ(フォトリソグラフィ)は、フォトレジスト(感光性)を塗布するコーティング、パターンが形成されたフォトマスクにUV光を通過させてウェハー上に光を当てる露光、露光された部分とされていない部分を現像液によってパターンを形成する現像をまとめた工程をフォトリソといいます。 フォトリソの目的は、形成したいパターンを紫外線などの光を照射することによってウェハー上に形成することです。(※銀塩写真を現像する工程と類似していることから、この様に呼ばれています。)

HMDS処理

HMDSとは、ウェハー加工の途中にレジストが剥がれないよう密着性を高める処理を指します。ウェハーの表面が親水性の場合、現像液がウェハー表面とレジストの間に混在し、レジストが剥離される可能性があります。 HMDS処理の役目は、その剥がれを防ぐ為にウェハー表面を疎水化する加工であり、レジストをコーティング(塗布)する前に行われます。

レジスト塗布

レジストはフォトリソ工程でパターニングする際に保護膜としての役割を持つ物質。スピンコーター装置でウェハーを高速回転させながらレジスト塗布(コーティング)を行い、レジストが全面的に均一になるようにレジスト膜を形成していきます。 半導体におけるフォトリソグラフィでは、フォトレジストと呼ばれ、感光性のレジストを使用して作業を行います。

露光

電子回路パターンが描写されたマスク(レチクル)にUV光を当ててウェハー上のレジスト膜に転写していく工程。プロジェクション露光においては、レンズなどの光学系を使用して投影させます。 プロジェクション露光は2種類に分類され、マスク上のパターンを一括で描写してウェハー上に投影させるアライナー(一括露光装置)と、水銀ランプから放出された光(i線やg線)が縮小投影レンズによりウェハー上をステップしながら投影露光されていくステッパー(分割露光装置)があります。 ステッパーは縮小投影での露光であるために、微細パターニングに優れています。

現像

上記の過程で、露光されたウェハーを現像装置(デベロッパー)にセットし、現像液を浸すことで感光部分を除去(ポジ型レジスト)、または未感光部分を除去(ネガ型レジスト)する工程。 現像の際に、実際に光が転写された露光部分が浮き彫りになってパターンが形成されます。

お見積り・お問い合わせはこちらから
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