ウェハー加工・マイクロ流路・ファクトリーオートメーション・生産受託の九州セミコンダクターKAW

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ウェハー加工
ファクトリーオートメーション・ウェハー加工・マイクロ流路・生産受託の九州セミコンダクターKAW

ウェハー加工 エッチング

少量試作・開発・量産まで、成膜加工(CVD、スパッタリング)・フォトリソ・エッチング加工に関する受託加工のご相談をお受けいたします。

エッチング加工能力

工程

装置

加工能力

対応ウェハサイズ

特徴・備考

CVD成膜

P-5000

膜種:SiO2,SiN

4インチ

成膜温度:250~400℃

CIH-130

膜種:SiO2,SiN,SiON

最大8インチ対応
(2,4,6インチや異形基板にも対応可)

成膜温度:250~350℃
基板厚:10mm
SiO2膜厚:実績:6μm(実績),ガス:シランベース(ガス比率,成膜温度,圧力も調整可能,異形基板にも対応可能)

Sputter成膜

CFS-12P-100

膜種:Cr,Ni,Ti,Cu(逆スパッター可)

3,4,6,8,12インチ対応(異形基板は要相談)

UP方式の為パーティクル量少
面ユニフォーミティ:実力値3~5%程度

露光

NSR-i10C
(Nikon)
2台保有

基板:Si,サファイア,ガラス,石英

最大8インチ対応,(2,4,6インチ及び異形基板にも対応可)
板厚:0.23mm~1.0mm程※上限・下限付近は要事前確認

解像度(実績):0.6μm
アスペクト比実績:5倍(ポジ)2倍(ネガ)
パターン角度:変更可能
レジスト厚:(ポジ)0.35μm~100μm(ネガ)1μm~500μm

エッチング

RIE-10NR
(ドライ)

絶縁膜,シリコン系,SiO2,SiN,Si,Poly-Si

最大8インチまで対応,異形基板も対応可能

各種シリコン薄膜の高精度エッチング

ウェット

エッチャント:Cr,ITO,Cu,Ni等実績あり

※各種ドライエッチング、ウェットエッチングに対応いたします。
※その他にもご希望に応じて対応できる場合もございますので、お気軽にご連絡下さい。

Siドライエッチング   SiO2ドライエッチング   石英ドライエッチング

 

工程

加工種類

製法・装置

備考

対応基板サイズ

エッチング

ドライエッチング

ドライエッチャー(RIE)

Si、Poly-Si、SiO2、SiN、

SiON、石英

他は応相談

最大Φ8″まで対応可能(2,4,6インチやその他異形基板にも検討可)

ウェットエッチング

各種金属膜エッチング

酸/アルカリ系各種
他は応相談。
CrやITOなど実績多数

最大Φ8″対応可能(2,4,6インチやその他異形基板にも検討可)

SRD(スピン・リンス・ドライ)

 

ウェハー加工・エッチング装置「RIE-10NR」

 

装置名

平行平板型RIE装置 RIE-10NR

特 徴

シリコン薄膜の高精度エッチングを目的とした平行平板型反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)装置です。 プログラムコントロールによる自動稼働とプロセスパラメータの保存が可能な機能を持っています。

スペック

最大8インチサイズ対応(2,4,6インチやその他異形基板も検討可 。)Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング。
・圧力制御:4インチ自動圧力コントロールバルブ
・高周波電源:13.56MHz,Max 300w
・プロセスガス:CF4,CHF3,Ar,SF6,O2

 

エッチング

半導体の基板上もしくは、表面上の膜やレジストに目的の凹凸をつけて削っていく加工方法です。エッチングは基本的にパターニングされたレジストがマスクとして加工しますが、場合によってはSiO2をパターニングしてマスク用に使用する場合もあります。2種類のエッチング方式が用いられ、それぞれ溶媒を使う「ウエットエッチング」と溶媒を使わない「ドライエッチング」と呼ばれます。

 

ウエットエッチング

化学薬品による薬液を使用し、基盤を浸して無駄な部分を除去するエッチング方法です。ウエットエッチングでは等方性になりやすく、下方向にエッチングされて削られると同時に、横方向も同時進行で削られます(サイドエッチング)。

 

ドライエッチング

ガスに高周波をかけて、イオンやラジカルで対象物を加工する方法です。ガスにもよりますが、主に異方性の形状になりやすく、垂直方向にイオンがぶつかり、一定方向に削れて加工されます。RIEは反応性イオンエッチング(Reactive Ion etching)とも呼ばれ、プラズマ中に電位が生じてイオン等が試料に衝突して削ることを意味します。