ウェハー加工・マイクロ流路・ファクトリーオートメーション・生産受託の九州セミコンダクターKAW

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ウェハー加工
ファクトリーオートメーション・ウェハー加工・マイクロ流路・生産受託の九州セミコンダクターKAW

ウェハー加工 成膜(CVD / スパッタ)

少量試作・開発・量産まで、成膜加工(CVD、スパッタリング)・フォトリソ・エッチング加工に関する受託加工のご相談をお受けいたします。

成膜加工能力

工程

装置

加工能力

対応ウェハサイズ

特徴・備考

CVD成膜

P-5000

膜種:SiO2,SiN

4インチ

成膜温度:250~400℃

CIH-130

膜種:SiO2,SiN,SiON

最大8インチ対応
(2,4,6インチや異形基板にも対応可)

成膜温度:250~350℃
基板厚:10mm
SiO2膜厚:実績:6μm(実績),ガス:シランベース(ガス比率,成膜温度,圧力も調整可能,異形基板にも対応可能)

Sputter成膜

CFS-12P-100

膜種:Cr,Ni,Ti,Cu(逆スパッター可)

3,4,6,8,12インチ対応(異形基板は要相談)

UP方式の為パーティクル量少
面ユニフォーミティ:実力値3~5%程度

露光

NSR-i10C
(Nikon)
2台保有

基板:Si,サファイア,ガラス,石英

最大8インチ対応,(2,4,6インチ及び異形基板にも対応可)
板厚:0.23mm~1.0mm程※上限・下限付近は要事前確認

解像度(実績):0.6μm
アスペクト比実績:5倍(ポジ)2倍(ネガ)
パターン角度:変更可能
レジスト厚:(ポジ)0.35μm~100μm(ネガ)1μm~500μm

エッチング

RIE-10NR
(ドライ)

絶縁膜,シリコン系,SiO2,SiN,Si,Poly-Si

最大8インチまで対応,異形基板も対応可能

各種シリコン薄膜の高精度エッチング

ウェット

エッチャント:Cr,ITO,Cu,Ni等実績あり

※CVD工程での対応ウェハーサイズは、2,4,6,8インチ、その他異形サイズに対応いたします。
※お客様のご希望に応じた少量ロットや化合物半導体への加工、基板厚さも10mmまで対応可能です

 

工程

加工種類

製法・装置

備考

対応基板サイズ

成膜

絶縁膜 形成

PE-CVD(プラズマCVD)

酸化膜(SiO2)
窒化膜(SiN)
オキシナイトライド膜(SiON)

最大Φ8″まで対応。その他異形基板も対応可能。

金属膜 絶縁膜 形成

スパッタリング(PVD)

Ti / Cu / Cr / Niのターゲットを保有 その他膜種も検討可能

Φ3″、Φ4″、Φ6″、Φ8″、Φ12″対応。異形基板は要相談

 

CVD工程装置「CIH-130・P-5000」

ウェハー加工・CVD工程装置「P-5000 ・CIH-130」
 

装置名

CIH-130,P-5000

特 徴

プラズマを使用してDepositionを低温で良質の酸化膜、窒化膜を成膜します。
特殊基板等の少量対応が得意です。

スペック
(P-5000)

・使用Gas:SiH4,N2O,N2,NH3,CF4
・ウェハーサイズ:4inch
・チャンバー数:2チャンバー

スペック
(CIH-130)

・使用Gas:SiH4,N2O,N2,NH3,CF4
・ウェハーサイズ:最大8inchまで対応可能(その他異形基板も検討可)
・チャンバー数:1チャンバー
・膜厚分布:±10%以内

 

スパッタリング工程装置「CFS-12P-100」

CVDスパッタリング装置

装置名

CFS-12P-100

特 徴

CFSシリーズのマグネトロン形低温高速スパッタリング装置です。 複数枚の基板を同時に処理できる(バッチ式)の装置であり、 量産用として用いることが可能です。

スペック

Φ3″、Φ4″、Φ6″、Φ8″、Φ12″対応。(その他異形基板も検討可)膜厚分布3000ű10%以内。 スパッタリング方向はスパッタアップ式 (パーティクル対策に対して有効)。 逆スパッタ可能。

 

成膜

ウェハーなどの基板上に絶縁膜や金属膜などの薄膜を形成することを成膜といいます。 半導体デバイス等の基板表面に成膜をすることにより、新しい機能や性質が加わります。成膜は保護、絶縁、誘電などの性質を加えたり、電気的かつ機械的な付加価値をつけることで、半導体の製造工程全体の下地作りを可能にします。一般的な真空成膜技術の薄膜を形成する方法として、CVD(化学的気相成長法)とPVD(物理的気相成長法)があります。

 

蒸着

金属や酸化物などの物質を高温で加熱し、蒸発させて素材の表面の処理を行ったり、薄膜を形成したりします。蒸発材料や基板に、電気的に印加させることもなく、気化した材料がそのまま基板に到達するため、基板のダメージが少なく純度の高い膜が形成できます。 基本的に真空状態で行うため真空蒸着とも呼ばれ、真空中でしか起きない化学反応の現象を生み出したり、大気による酸化防止の効果があります。

 

CVD成膜

CVD(chemical vapor deposition)の成膜は、科学的な成膜方法で、薄膜を作る蒸着法の1つです。成長させる膜の原料物質である化合物ガスを供給して、基板に熱を加え加熱させることで反応を起こし、薄膜をつくる蒸着法の技術の1つです。CVDは高周波の電力を印加することでプラズマを発生させたり、原料物質を含むガスに熱や光によるエネルギーを与えることで化学反応し、生成物質が基板上に降り積もって堆積されていきます。薄膜の原料には多数のガスが使用されますが、ガスを反応させる方法にはいくつかあり、「熱」「光」「プラズマ」によるCVD成膜があります。CVDによる成膜の用途としては、絶縁膜保護膜としての役割があります。

 

スパッタリング

スパッタリングはPVD(Physical Vapor Deposition)による成膜方法の一種であり、ガラスやシリコンなどの各種基板上に金属や誘電体等の膜の形成が可能です。蒸着での熱エネルギーによる成膜とは違い、主に運動エネルギーを利用します。真空チャンバーの中で 薄膜として着けたい金属をターゲットとして設置し、ウェハーとの電極の間に高電圧をかけるとイオン化させたアルゴンガス(プラスイオンのアルゴンとマイナスの電子に分解されるプラズマ状態)の電子が金属材料に向かって加速します。その電子が衝突することで金属材料から金属イオンの粒子が弾き飛び、ウェハーの電極に到達し、薄膜が作り出されます。スパッタリングで常温成膜する場合、金属材料を分子のまま分散させて基板上に付着させることができます。