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成膜サービス（CVD・スパッタリング）

半導体ウェハーなどの基板上に絶縁膜や金属膜などの薄膜を形成する成膜を行っており、
少量試作（1枚から対応）～量産まで受託加工サービスをご提供いたします。
・支給基板への成膜、又は基板から準備することも可能です。
・成膜条件などについてのご相談も可能です。(指定がない場合は弊社標準条件にて成膜)
・最短数日～（ご依頼内容やタイミングにもよりますので、ご相談ください)
・価格はご依頼内容によって違いますので、お気軽にご相談ください。
・成膜可能な膜種などについては下記を参照

成膜方法	膜種	対応基板サイズ	対応可能膜厚
PE-CVD	SiO2	数mm〜Φ8インチ（□基板は最大130mm角まで）	10nm〜6μm程度
	SiN		10nm〜4μm程度
	SiON		10nm〜4μm程度
	a-Si		10nm〜1μm程度
スパッタリング	Al	Φ2インチ〜Φ12インチ（異形基板への対応も可能）	〜数百nm
	AlCu
	AlSi
	AlSiCu
	Cr
	Cu
	Ni
	NiCr
	NiV
	Ta
	TaN
	Ti
	TiN
	TiW

対応可能基板	Si、SiC、GaAs、LT、LN、Ge、InP、InGaAs、GaN、サファイア、ITO、ダイヤモンド、ガラス系基板、セラミック基板、金属基板、樹脂・ポリマー基板等 ※その他の基板、膜付きやパターン付き基板についてもご相談ください。
膜均一性	基本は±10％ ※より厳しい公差が必要な場合はご相談ください。

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CVD工程装置「CIH-130・P-5000」

プラズマを使用してDepositionを低温で良質の酸化膜、窒化膜を成膜します。特殊基板等の少量対応が得意です。

CVD工程装置「CIH-130」

CVD工程装置「P-5000」

スパッタリング工程装置「CFS-12P-100・CFS-8EP-55」

CFSシリーズのマグネトロン形低温高速スパッタリング装置です。複数枚の基板を同時に処理できる（バッチ式）の装置であり、量産用として用いることが可能です。

スパッタリング工程装置「CFS-12P-100」

スパッタリング工程装置「CFS-8EP-55」

成膜例

ネガレジスト2段加工

SiO2成膜前

SiO2成膜後

ウェハー加工・お問い合わせから受注・納品までの流れ

ウェハー加工のご案内「お問い合わせ」お急ぎの場合にはお電話でも承っております。
お問い合せフォームからのご相談は、1～2営業日以内にご連絡いたします。

ウェハー加工のご案内「設計・ご提案」お客様の仕様をベースに、製作側よりご提案させていただきます。レチクルデザインや材料の手配・加工が必要な場合も可能です。可能な限り柔軟なサポートをさせていただきます。

ウェハー加工のご案内「お見積り・ご発注」試作品の１点からでも、一部の工程でも、お見積り・ご注文を承っております。

ウェハー加工のご案内「評価・製作」これまで培ってきた加工実績とネットワークを活かし、お客様にご満足して頂ける製品をご提供いたします。

ウェハー加工のご案内「納品」ご要望に柔軟に対応いたします。

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ウェハーなどの基板上に絶縁膜や金属膜などの薄膜を形成することを成膜といいます。半導体デバイス等の基板表面に成膜をすることにより、新しい機能や性質が加わります。成膜は保護、絶縁、誘電などの性質を加えたり、電気的かつ機械的な付加価値をつけることで、半導体の製造工程全体の下地作りを可能にします。一般的な真空成膜技術の薄膜を形成する方法として、ＣＶＤ（化学的気相成長法）とＰＶＤ（物理的気相成長法）があります。

蒸着

金属や酸化物などの物質を高温で加熱し、蒸発させて素材の表面の処理を行ったり、薄膜を形成したりします。蒸発材料や基板に、電気的に印加させることもなく、気化した材料がそのまま基板に到達するため、基板のダメージが少なく純度の高い膜が形成できます。基本的に真空状態で行うため真空蒸着とも呼ばれ、真空中でしか起きない化学反応の現象を生み出したり、大気による酸化防止の効果があります。

ＣＶＤ成膜

ＣＶＤ(chemical vapor deposition)の成膜は、科学的な成膜方法で、薄膜を作る蒸着法の１つです。成長させる膜の原料物質である化合物ガスを供給して、基板に熱を加え加熱させることで反応を起こし、薄膜をつくる蒸着法の技術の１つです。ＣＶＤは高周波の電力を印加することでプラズマを発生させたり、原料物質を含むガスに熱や光によるエネルギーを与えることで化学反応し、生成物質が基板上に降り積もって堆積されていきます。薄膜の原料には多数のガスが使用されますが、ガスを反応させる方法にはいくつかあり、「熱」「光」「プラズマ」によるＣＶＤ成膜があります。ＣＶＤによる成膜の用途としては、絶縁膜や保護膜としての役割があります。

スパッタリング

スパッタリングはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）による成膜方法の一種であり、ガラスやシリコンなどの各種基板上に金属や誘電体等の膜の形成が可能です。蒸着での熱エネルギーによる成膜とは違い、主に運動エネルギーを利用します。真空チャンバーの中で薄膜として着けたい金属をターゲットとして設置し、ウェハーとの電極の間に高電圧をかけるとイオン化させたアルゴンガス（プラスイオンのアルゴンとマイナスの電子に分解されるプラズマ状態）の電子が金属材料に向かって加速します。その電子が衝突することで金属材料から金属イオンの粒子が弾き飛び、ウェハーの電極に到達し、薄膜が作り出されます。スパッタリングで常温成膜する場合、金属材料を分子のまま分散させて基板上に付着させることができます。

ウエハー加工・生産受託・マイクロ流路・ファクトリーオートメーションの九州セミコンダクターKAW