半導体製品の製造・異形部品実装・検査(フォトリソ・MEMS・PDMS・CVD)生産受託の九州セミコンダクターKAW.

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ウェハー加工
半導体製品の製造・異形部品実装・検査(フォトリソ・MEMS・PDMS・CVD)生産受託の九州セミコンダクターKAW

ウェハー加工「エッチング」

エッチング加工能力

各種ドライエッチング、ウェットエッチングに対応いたします。
その他にもご希望に応じて対応できる場合もございますので、お気軽にご連絡下さい。

Siドライエッチング SiO2ドライエッチング 石英ドライエッチング


工程

加工種類

製法・装置

備考

対応基板サイズ

エッチング

ドライエッチング

ドライエッチャー(RIE)

Si、Poly-Si、SiO2、SiN、

SiON、石英

他は応相談

最大Φ8″まで対応可能(2,4,6インチやその他異形基板にも検討可)

ウェットエッチング

各種金属膜エッチング

酸/アルカリ系各種
他は応相談。
CrやITOなど実績多数

最大Φ8″対応可能(2,4,6インチやその他異形基板にも検討可)

SRD(スピン・リンス・ドライ)

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ウェハー加工・エッチング装置「RIE-10NR」

装置名

平行平板型RIE装置 RIE-10NR

特 徴

シリコン薄膜の高精度エッチングを目的とした平行平板型反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)装置です。 プログラムコントロールによる自動稼働とプロセスパラメータの保存が可能な機能を持っています。

スペック

最大8インチサイズ対応(2,4,6インチやその他異形基板も検討可 。)Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング。
・圧力制御:4インチ自動圧力コントロールバルブ
・高周波電源:13.56MHz,Max 300w
・プロセスガス:CF4,CHF3,Ar,SF6,O2

 

エッチング

半導体の基板上もしくは、表面上の膜やレジストに目的の凹凸をつけて削っていく加工方法です。エッチングは基本的にパターニングされたレジストがマスクとして加工しますが、場合によってはSiO2をパターニングしてマスク用に使用する場合もあります。2種類のエッチング方式が用いられ、それぞれ溶媒を使う「ウエットエッチング」と溶媒を使わない「ドライエッチング」と呼ばれます。

 

ウエットエッチング

化学薬品による薬液を使用し、基盤を浸して無駄な部分を除去するエッチング方法です。ウエットエッチングでは等方性になりやすく、下方向にエッチングされて削られると同時に、横方向も同時進行で削られます(サイドエッチング)。

 

ドライエッチング

ガスに高周波をかけて、イオンやラジカルで対象物を加工する方法です。ガスにもよりますが、主に異方性の形状になりやすく、垂直方向にイオンがぶつかり、一定方向に削れて加工されます。RIEは反応性イオンエッチング(Reactive Ion etching)とも呼ばれ、プラズマ中に電位が生じてイオン等が試料に衝突して削ることを意味します。